基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究

于海龙, 高汉超, 王伟, 马奔, 尹志军, 李忠辉

Molecular Beam Epitaxy of InP DHBT Based on Carbon Doped InGaAs Material

YU Hailong, GAO Hanchao, WANG Wei, MA Ben, YIN Zhijun, LI Zhonghui

固体电子学研究与进展 . 2022, (6): 505 -509 .