基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计<sup>*</sup>

宋迎新, 马捷, 侯杰, 孙德福, 刘进松, 李泽宏, 任敏

Design of High Voltage Power MOS Device Terminal Based on Buried Layer Structure

SONG Yingxin, MA Jie, HOU Jie, SUN Defu, LIU Jinsong, LI Zehong, REN Min

固体电子学研究与进展 . 2022, (5): 352 -356 .