比导通电阻2.3 mΩ·cm2的650 V,200 A碳化硅功率MOSFET器件*
李飞飞, 陈谷然, 应贤炜, 黄润华, 栗锐, 柏松, 杨勇
A 650 V, 200 A SiC Power MOSFET Device with Specific On-resistance of 2.3 mΩ·cm2
LI Feifei, CHEN Guran, YING Xianwei, HUANG Runhua, LI Rui, BAI Song, YANG Yong
固体电子学研究与进展
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2022, (5): 341
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