增强型p‑GaN栅 HEMT器件的抗辐照性能研究
胡壮壮, 王登贵, 李雪, 周建军, 孔月婵, 陈堂胜
Study on the Radiation Effects of Enhancement‑mode p‑GaN Gate HEMT Devices
HU Zhuangzhuang, WANG Denggui, LI Xue, ZHOU Jianjun, KONG Yuechan, CHEN Tangsheng
固体电子学研究与进展
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2024, (3): 201
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DOI: 10.12450/j.gtdzx.202403003
