高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响
傅凡, 万发雨, 汪煜, 洪根深
Effect of Layout and Process on ESD Characteristics of High‑voltage GGNMOS
FU Fan, WAN Fayu, WANG Yu, HONG Genshen
固体电子学研究与进展 . 2024, (2): 178 -182 .  DOI: 10.12450/j.gtdzx.202402014

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