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1 400 V/240 mΩ增强型硅基p⁃GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT器件
潘传奇
1 400 V/240 mΩ Enhancement⁃mode p⁃GaN Gate AlGaN/GaN HEMT on Si
PAN Chuanqi
固体电子学研究与进展 . 2023, (
1
): 11 -15 .
