横向增强型双侧栅结构GaN JFET优化设计

PDF(937 KB)

固体电子学研究与进展 ›› 2023, Vol. 43 ›› Issue (5) : 375-380.

宽禁带半导体

横向增强型双侧栅结构GaN JFET优化设计

{{article.zuoZhe_CN}}

作者信息 +

The Optimal Design of the Lateral Enhancement‑mode Double‑side‑gate GaN JFET

{{article.zuoZhe_EN}}

Author information +

文章历史 +

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

EndNote

Ris (Procite)

Bibtex

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2023, 43(5): 375-380

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2023, 43(5): 375-380

中图分类号：

参考文献

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

参考文献

基金

版权

PDF(937 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航

收稿日期	修回日期	出版日期
2023-06-15	2023-09-05	2023-10-25
发布日期
2023-10-25

选择文件类型/文献管理软件名称

选择包含的内容

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

{{custom_sec.title}}

{{custom_sec.title}}

参考文献

参考文献

{{custom_fnGroup.title_cn}}

脚注

{{custom_ack.title_cn}}

基金

版权

模态框（Modal）标题

选择文件类型/文献管理软件名称

选择包含的内容

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

{{custom_sec.title}}

{{custom_sec.title}}

参考文献

参考文献

{{custom_fnGroup.title_cn}}

脚注

{{custom_ack.title_cn}}

基金

版权