偏压应力下SiC/SiO界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变

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固体电子学研究与进展 ›› 2023, Vol. 43 ›› Issue (3) : 208-213.

器件物理与器件模拟

偏压应力下SiC/SiO界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变

{{article.zuoZhe_CN}}

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Effect of Electric Field on the Structural and Electronic Properties of Carbon Interstitial Defects at SiC/SiO Interface

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{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2023, 43(3): 208-213

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收稿日期	修回日期	出版日期
2023-02-02	2023-03-07	2023-06-25
发布日期
2023-06-25

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