基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究

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固体电子学研究与进展 ›› 2022, Vol. 42 ›› Issue (6) : 505-509.

材料与工艺

基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究

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Molecular Beam Epitaxy of InP DHBT Based on Carbon Doped InGaAs Material

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收稿日期	修回日期	出版日期
2022-04-27	2022-09-14	2022-12-25
发布日期
2024-09-25

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