基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计<sup>&#x0002A;</sup>

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固体电子学研究与进展 ›› 2022, Vol. 42 ›› Issue (5) : 352-356.

器件物理与器件模拟

基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计^*

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Design of High Voltage Power MOS Device Terminal Based on Buried Layer Structure

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收稿日期	修回日期	出版日期
2022-04-20	2022-06-07	2022-10-25
发布日期
2024-09-25

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