使用3C/4H-SiC异质外延薄膜制备石墨烯

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固体电子学研究与进展 ›› 2022, Vol. 42 ›› Issue (4) : 329-334.

材料与工艺

使用3C/4H-SiC异质外延薄膜制备石墨烯

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Graphene Grown by Using 3C/4H-SiC Hetero-epitaxial Films

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收稿日期	修回日期	出版日期
2021-12-09	2022-05-07	2022-08-25
发布日期
2024-10-15

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