基于28 nm体硅CMOS工艺位交织型抗辐射触发器加固结构<sup>&#x0002A;</sup>

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固体电子学研究与进展 ›› 2022, Vol. 42 ›› Issue (4) : 306-308.

硅微电子学

基于28 nm体硅CMOS工艺位交织型抗辐射触发器加固结构^*

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A Radiation Hardened Flip-flop with Interlaced Critical Nodes in 28 nm CMOS Technology

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收稿日期	修回日期	出版日期
2021-11-10	2021-12-22	2022-08-25
发布日期
2024-10-15

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