栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究

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固体电子学研究与进展 ›› 2022, Vol. 42 ›› Issue (3) : 234-238.

材料与工艺

栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究

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Study on the Influence of Gate Structure Defect on GaN HEMT Device Performance

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收稿日期	修回日期	出版日期
2021-01-26	2021-03-21	2022-06-25
发布日期
2024-10-15

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