GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)<sup>&#x0002A;</sup>

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固体电子学研究与进展 ›› 2021, Vol. 41 ›› Issue (6) : 425-431.

宽禁带半导体

GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)^*

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Control of Gate and Drain Voltage on Electron Gas in GaN Heterojunction Field Effect Transistor

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收稿日期	修回日期	出版日期
2020-09-08	2021-01-05	2021-12-25
发布日期
2024-11-14

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