基于GaN HEMT的非对称型Doherty功率放大器设计

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固体电子学研究与进展 ›› 2021, Vol. 41 ›› Issue (5) : 343-347.

宽禁带半导体

基于GaN HEMT的非对称型Doherty功率放大器设计

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Design of Asymmetric Doherty Power Amplifier Based on GaN HEMT

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收稿日期	修回日期	出版日期
2021-03-16	2021-04-14	2021-10-25
发布日期
2024-11-14

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