栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响*

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固体电子学研究与进展 ›› 2021, Vol. 41 ›› Issue (3) : 229-234.

材料与工艺

栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiN_x栅介质TDDB特性的影响^*

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Impact of Gate Erea and ESD Structure on LPCVD SiN_x Gate Dielectric TDDB Characteristics in AlGaN/GaN MIS-HEMTs

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收稿日期	修回日期	出版日期
2020-11-04	2021-03-27	2021-06-25
发布日期
2024-12-09

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