基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制

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固体电子学研究与进展 ›› 2021, Vol. 41 ›› Issue (1) : 14-17.

宽禁带半导体

基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制

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Fabrication of Ka-band GaN Low Noise Amplifier Based on AlN/GaN Heterojunction

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收稿日期	修回日期	出版日期
2020-07-01	2020-12-10	2021-02-25
发布日期
2024-12-09

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