基于帕德逼近的射频功率管导纳域行为模型研究<sup>∗</sup>

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固体电子学研究与进展 ›› 2020, Vol. 40 ›› Issue (5) : 328-332.

器件物理与器件模拟

基于帕德逼近的射频功率管导纳域行为模型研究^∗

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Research on Admittance Domain Behavior Model of RF Power Transistor Based on Padé Approximation

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收稿日期	修回日期	出版日期
2020-05-14	2020-07-14	2020-10-25
发布日期
2024-11-19

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