晶格匹配InAlN/GaN HEMTs栅极电流击穿行为研究

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固体电子学研究与进展 ›› 2020, Vol. 40 ›› Issue (4) : 300-304.

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晶格匹配InAlN/GaN HEMTs栅极电流击穿行为研究

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Study on Gate Current Breakdown Behavior of Lattice-matched InAlN/GaN HEMTs

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{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2020, 40(4): 300-304

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收稿日期	修回日期	出版日期
2019-12-30	2020-03-11	2020-08-25
发布日期
2024-11-19

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