基于50 nm GaN HEMT技术的180 ~ 220 GHz平衡二倍频器MMIC

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固体电子学研究与进展 ›› 2020, Vol. 40 ›› Issue (2) : 83-86.

宽禁带半导体

基于50 nm GaN HEMT技术的180 ~ 220 GHz平衡二倍频器MMIC

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A 180 ~ 220 GHz Balanced Frequency Doubler MMIC Using 50 nm GaN HEMT Technology

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收稿日期	修回日期	出版日期
2020-04-07	2020-04-12	2020-04-25
发布日期
2024-11-19

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