基于GaN HEMT的155~172 GHz功率放大器设计

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固体电子学研究与进展 ›› 2020, Vol. 40 ›› Issue (2) : 79-82.

宽禁带半导体

基于GaN HEMT的155~172 GHz功率放大器设计

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A 155~172 GHz Power Amplifier Based on GaN HEMT Technology

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收稿日期	修回日期	出版日期
2020-03-24	2020-04-10	2020-04-25
发布日期
2024-11-19

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