具有N型赝埋层的新型SiGe‑HBT器件及应用研究

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固体电子学研究与进展 ›› 2025, Vol. 45 ›› Issue (2) : 0. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202502015

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Research on New SiGe‑HBT Devices with Pseudo N‑type Buried Layer and Its Application

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