基于MOCVD的β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展

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固体电子学研究与进展 ›› 2025, Vol. 45 ›› Issue (1) : 0. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202501001

基于MOCVD的β‑Ga₂O₃同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展

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Research Progress on β‑Ga₂O₃ Homoepitaxial and Al Doped Heterojunction Epitaxial Growth by MOCVD

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