应变补偿BGaN/AlGaN超晶格深紫外LED空穴浓度

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (6) : 603-610. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202406014

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Hole Concentration of Strain⁃compensated BGaN/AlGaN Superlattice for Deep Ultraviolet LED

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 44(6): 603-610 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202406014

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 44(6): 603-610 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202406014

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