不同沉积温度Al2O3栅介质金刚石MOSFET器件研究

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (6) : 552-555. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202406006

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Research on Diamond MOSFETs with Al₂O₃ Gate Dielectrics Deposited at Different Temperatures

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