基于101.6 mm晶圆 35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (5) : 379-383. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202405003

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Preparation of a 340 GHz Low-noise Amplifier Based on 101.6 mm Wafer 35 nm InP HEMT Process

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