一种具有高ESD泄放电流的AlGaN/GaN HEMT器件

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (4) : 289-294. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202404003

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An AlGaN/GaN HEMT Device with High ESD Discharge Current Capability

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 44(4): 289-294 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202404003

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 44(4): 289-294 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202404003

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