一种本征端口开放非线性模式可调的GaN HEMT模型

王磊, 刘伊民, 王储君, 陈俊辉, 乔世阳, 汪流

固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (4) : 284-288.

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (4) : 284-288. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202404002
宽禁带半导体

一种本征端口开放非线性模式可调的GaN HEMT模型

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A GaN Model with Open Intrinsic Ports and Adjustable Nonlinear Patterns

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