一款基于非线性模型设计的高性能GaN功率放大载片

景少红, 徐祖银, 李飞, 成爱强, 梁宸玮

固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (4) : 277-283.

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (4) : 277-283. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202404001
宽禁带半导体

一款基于非线性模型设计的高性能GaN功率放大载片

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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A High Performance GaN Power Amplifier Designed Based on Nonlinear Model

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 44(4): 277-283 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202404001
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 44(4): 277-283 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202404001
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{{article.reference}}

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