基于0.15 μm SOI工艺的耐高温短沟器件设计与实现

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (3) : 258-263. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202403013

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Design and Implementation of High Temperature Resistant Short Channel Device Based on 0.15 μm SOI Process

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 44(3): 258-263 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202403013

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 44(3): 258-263 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202403013

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