一种基于GaAs pHEMT工艺的18~40 GHz六位高精度数控移相器

张天羽, 韩群飞, 陶洪琪

固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (3) : 213-218.

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (3) : 213-218. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202403005
射频微波与太赫兹

一种基于GaAs pHEMT工艺的18~40 GHz六位高精度数控移相器

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A 18-40 GHz 6‑bit High‑precision Phase Shifter MMIC Using GaAs HEMT Technology

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