增强型p‑GaN栅 HEMT器件的抗辐照性能研究

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (3) : 201-205. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202403003

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Study on the Radiation Effects of Enhancement‑mode p‑GaN Gate HEMT Devices

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 44(3): 201-205 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202403003

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 44(3): 201-205 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202403003

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