垂直氮化镓沟槽栅极场效应管的优化设计

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (1) : 19-23. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202401004

垂直氮化镓沟槽栅极场效应管的优化设计

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Optimized Design of GaN Vertical Trench‑gate Field‑effect Transistor

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 44(1): 19-23 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202401004

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 44(1): 19-23 https://doi.org/10.12450/j.gtdzx.202401004

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