高k栅介质增强型β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究

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固体电子学研究与进展 ›› 2024, Vol. 44 ›› Issue (1) : 6-12. DOI: 10.12450/j.gtdzx.202401002

高k栅介质增强型β‑Ga₂O₃ VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究

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SEGR Analysis of Enhanced β‑Ga₂O₃ VDMOS Device with High k Gate Dielectric

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